직무 · 삼성전자 / 공정기술
RIE와 같은 플라즈마를 사용하는 에칭 공정에서도 등방성이 존재하여 undercut이 발생할 수 있다 들었습니다. 1. 이런 undercut 문제는 어떤 검사장비로 검출하나요? 2. 보통 undercut이 발생하면 어떤 방식으로 공정 최적화를 하나요? 3. 공정 최적화를 했을 때 발생할 수 있는 tradeoff가 뭐가 있을까요?
2025.09.02
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직무가 이번에 새로 채용하는 분야인거 같아서 정보가 없어서 여쭤봅니다..... 이제 면접 준비를 해야하는데 PT 면접에서는 어떤걸 위주로 대비해야할까요?? 메모리사업부 공정기술은 8대공정에 대해 공부하면 되겠는데 글인총 공정기술은 8대 공정보다는 유틸리티나 이런쪽에 더 가까운거 같아서요...... 그리고 직무면접은 어떤식으로 진행되는지랑 화공과 학생인데 어떤 준비를 해야하는지 궁금합니다
안녕하세요, 석사과정 중인 대학원생입니다. 이번에 삼성전자에 지원하면서 전공소개서를 작성중입니다. 처음 작성하다보니 걱정과 궁금증이 많아 질문드립니다. 제가 작성한 본문의 순서는 다음과 같습니다. 1. 제 연구 주제에 관한 간단한 배경과 연구 동기, 목적 2. 실험 진행 3. 결과 및 고찰 4. 결론, 추가 분석 예정 5. 학회 발표와 교내 프로그램 이수 및 다양한 장비 사용과 분석으로 직무 역량 상승 혹시 이런 구성이면 괜찮을까요? 그리고 다른 분들은 여러 가지 연구 주제와 프로젝트까지 있는데 저는 직무와 관련된 추가 프로젝트는 없어서 사실상 제 졸업논문디펜스 발표 내용 하나만으로 구성되어있습니다. 하나의 연구주제만 작성해도 괜찮을까요? 아니면 주제를 작은 두가지로 나누어서 세세하게 하는 게 좋을까요?
수율 VS 생산성 현직자님들은 둘 중에 고르라하면 어떤 것을 선택하실건가요? 그 이유도 궁금합니다.
직무가 이번에 새로 채용하는 분야인거 같아서 정보가 없어서 여쭤봅니다..... 이제 면접 준비를 해야하는데 PT 면접에서는 어떤걸 위주로 대비해야할까요?? 메모리사업부 공정기술은 8대공정에 대해 공부하면 되겠는데 글인총 공정기술은 8대 공정보다는 유틸리티나 이런쪽에 더 가까운거 같아서요...... 그리고 직무면접은 어떤식으로 진행되는지랑 화공과 학생인데 어떤 준비를 해야하는지 궁금합니다
안녕하세요, 석사과정 중인 대학원생입니다. 이번에 삼성전자에 지원하면서 전공소개서를 작성중입니다. 처음 작성하다보니 걱정과 궁금증이 많아 질문드립니다. 제가 작성한 본문의 순서는 다음과 같습니다. 1. 제 연구 주제에 관한 간단한 배경과 연구 동기, 목적 2. 실험 진행 3. 결과 및 고찰 4. 결론, 추가 분석 예정 5. 학회 발표와 교내 프로그램 이수 및 다양한 장비 사용과 분석으로 직무 역량 상승 혹시 이런 구성이면 괜찮을까요? 그리고 다른 분들은 여러 가지 연구 주제와 프로젝트까지 있는데 저는 직무와 관련된 추가 프로젝트는 없어서 사실상 제 졸업논문디펜스 발표 내용 하나만으로 구성되어있습니다. 하나의 연구주제만 작성해도 괜찮을까요? 아니면 주제를 작은 두가지로 나누어서 세세하게 하는 게 좋을까요?
수율 VS 생산성 현직자님들은 둘 중에 고르라하면 어떤 것을 선택하실건가요? 그 이유도 궁금합니다.
답변 6
멘티님, 플라즈마 식각(예: RIE)에서 undercut 문제는 주로 SEM(주사전자현미경), FIB(집속이온빔), TEM(투과전자현미경) 등 미세구조 분석장비로 검출하며, 공정 엔지니어가 실제 식각 프로파일 단면을 관찰하여 파악합니다 Undercut 최적화는 가스 조성, 압력, RF 전력, 식각 시간 등 공정 파라미터 조절로 그레이진트 감소 및 보호막(폴리머) 형성 등 다양한 방식이 활용됩니다 파라미터 조절·폴리머 증착 등으로 등방성 억제 시 식각률 저하, 패턴 왜곡, Micro Loading 등 공정 속도와 형상 구현 간의 tradeoff가 필연적으로 발생합니다 Vertical 프로파일 구현, 식각률, 선택비, 부산물 문제 등이 최적화 과정과 항상 연계됩니다 채택부탁드리며 파이팅입니다!
지원자님, 아주 좋은 질문이에요~ 플라즈마 식각에서 undercut은 실제 현업에서도 자주 다루는 이슈랍니다! undercut 검출은 주로 SEM(주사전자현미경), FIB(집속이온빔) 단면 분석, 또는 CD-SEM(임계 치수 측정 SEM) 같은 장비로 확인해요~ 특히 단면 구조를 직접 관찰해야 정확히 파악되기 때문에 단면 분석 장비를 많이 활용한답니다~ undercut을 줄이기 위한 공정 최적화는 보통 공정 가스 조성, 압력, 전극 전력 조정 등을 통해 이방성을 높이는 방식으로 접근해요~ 예를 들어 sidewall passivation을 강화해서 옆면이 깎이지 않도록 하거나, 플라즈마 조건을 조절해 반응성과 물리적 스퍼터링 비율을 맞추는 방법이 있죠~ 하지만 이런 최적화를 하면 항상 tradeoff가 따라와요~ 대표적으로 식각 속도 저하, 선택비 감소, 잔여 polymer 형성 같은 문제가 생길 수 있어요~ 즉, undercut을 줄이려다 보면 throughput이 떨어지거나 후속 공정에서 문제가 될 수 있는 거죠~ 따라서 최적화는 항상 균형점 찾기가 핵심이에요~ 지원자님처럼 이런 부분을 이해하고 있다면 공정기술 직무에서 강점이 될 거예요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
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